Categoría: Productos semiconductores discretos / Transistores-FETs, MOSFET-individual
Fabricante: Toshiba
Serie: DTMOSIV
Tipo FET: Canal N
Tecnología: MOSFET (óxido metálico)

Características

• • Drenaje al voltaje fuente (Vdss): 600V
• • Corriente-drenaje continuo (Id) a 25°C: 38,8A (Ta)
• • Voltaje de la unidad (Rds máximo encendido, Min Rds encendido): 10V
• • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 19.4A, 10V
• • Vgs(th) (Max) @ Id: 4,5 V @ 1,9ma
• • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: 135nC @ 10V
• • Vgs (Max): : ± 30V
• • Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds: 4100pF @300V
• • Función FET
• • Disipación de energía (máx.): 270W (Tc)
• • Temperatura de funcionamiento: 150 °C (TJ)
• • Tipo de montaje: A través del agujero
• • Paquete de dispositivos del proveedor: TO-247.